Справочник MOSFET. IPD50R2K0CE

 

IPD50R2K0CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50R2K0CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD50R2K0CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50R2K0CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2508K  infineon
 ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdf pdf_icon

IPD50R2K0CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R2K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R2K0CE, IPU50R2K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd50r2k0ce.pdf pdf_icon

IPD50R2K0CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R2K0CE,IIPD50R2K0CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV G

 7.1. Size:1044K  infineon
 ipd50r280ce.pdf pdf_icon

IPD50R2K0CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R280CEData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R280CEDPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by

 7.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd50r280ce.pdf pdf_icon

IPD50R2K0CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R280CE,IIPD50R280CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD60R1K5CE , IPD60R1K0CE , IPD50R950CE , IPD50R800CE , IPD50R650CE , IPD50R500CE , IPD50R3K0CE , IPD50R380CE , 7N65 , IPD50R280CE , IPD50R1K4CE , IPD13N03LAG , IPD135N03L , IPD090N03L , IPD075N03L , IPD06N03LBG , IPD060N03L .

History: CEF06N7 | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | SSM6P15FU | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6

 

 
Back to Top

 


 
.