IPB65R095C7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB65R095C7
Маркировка: 65C7095
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 128 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 33 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB65R095C7
IPB65R095C7 Datasheet (PDF)
ipb65r095c7.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPB65R095C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPB65R095C7DPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and tab
ipb65r095c7.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R095C7FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
ipa65r099c6 ipb65r099c6 ipi65r099c6 ipp65r099c6 ipw65r099c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R099C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPW65R099C6, IPB65R099C6, IPP65R099C6IPA65R099C6, IPI65R099C6TO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs
ipw65r099c6 ipb65r099c6 ipp65r099c6 ipa65r099c6 ipi65r099c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R099C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPW65R099C6, IPB65R099C6, IPP65R099C6IPA65R099C6, IPI65R099C6TO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs
ipb65r099c6.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R099C6FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
