Справочник MOSFET. IPA80R1K0CE

 

IPA80R1K0CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA80R1K0CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IPA80R1K0CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA80R1K0CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1042K  infineon
ipa80r1k0ce.pdfpdf_icon

IPA80R1K0CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K0CETO-220 FP1 DescriptionCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combines safety with performan

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
ipa80r1k0ce.pdfpdf_icon

IPA80R1K0CE

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA80R1K0CEFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 6.1. Size:1179K  infineon
ipa80r1k2p7.pdfpdf_icon

IPA80R1K0CE

IPA80R1K2P7MOSFETPG-TO 220 FP800V CoolMOS P7 Power DeviceThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o

 6.2. Size:1047K  infineon
ipa80r1k4ce.pdfpdf_icon

IPA80R1K0CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K4CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K4CETO-220 FP1 DescriptionCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combines safety with performan

Другие MOSFET... IPB014N06N , IPB011N04L , IPB010N06N , IPB009N03L , IPA80R650CE , IPA80R460CE , IPA80R310CE , IPA80R1K4CE , IRFP260N , IPA65R650CE , IPA65R420CFD , IPA65R310CFD , IPA65R225C7 , IPA65R190E6 , IPA65R190CFD , IPA65R190C7 , IPA65R190C6 .

History: IPD90N06S4-05 | AUIRF8736M2TR | NP82N04PUG | AONR34332C | MTP4835Q8 | PT4606

 

 
Back to Top

 


 
.