IRFP9132. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP9132

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFP9132

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP9132 даташит

 7.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9132

 7.2. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9132

 8.1. Size:142K  international rectifier
 irfp9140n.pdf pdf_icon

IRFP9132

PD - 9.1492A IRFP9140N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175 C Operating Temperature P-Channel RDS(on) = 0.117 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = -23A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistanc

 8.2. Size:165K  international rectifier
 irfp9140.pdf pdf_icon

IRFP9132

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFP452, IRFP453, IRFP460, IRFP460A, IRFP460LC, IRFP470, IRFP9130, IRFP9131, 5N60, IRFP9133, IRFP9140, IRFP9140N, IRFP9141, IRFP9142, IRFP9143, IRFP9150, IRFP9230