IRFP4110PBF - описание и поиск аналогов

 

IRFP4110PBF - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFP4110PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для IRFP4110PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP4110PBF технические параметры

 ..1. Size:288K  international rectifier
 irfp4110pbf.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

PD - 97311 IRFP4110PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply VDSS 100V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 3.7m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 4.5m ID (Silicon Limited) 180A c ID (Package Limited) 120A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D l

 6.1. Size:519K  infineon
 auirfp4110.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4110 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 100V D Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.7m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 4.5m max 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Lim

 6.2. Size:728K  cn evvo
 irfp4110.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

IRFP4110 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Electrical Characteristics (TC=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Units Off Characteristics Drain-Sourtce Breakdown Voltage VGS=0V,ID=250 A 100 --- --- V BVDSS Zero Gate Voltage Drain Current VGS=0V, VDS=100V --- --- 1 A IDSS Gate-Source Leakage Current IGSS VGS= 20V, VDS=0A --- --- 100 nA On Chara

 6.3. Size:243K  inchange semiconductor
 irfp4110.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4110 IIRFP4110 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.5m Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250 A) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPA105N15N3 , IPA083N10N5 , IPA075N15N3 , IPA060N06N , IPA041N04NG , IPA040N06N , IPA029N06N , IRFP4004PBF , IRFP450 , IRFP4127PBF , IRFP4137PBF , IRFP4227PBF , IRFP4228PBF , IRFP4229PBF , IRFP4232PBF , IRFP4242PBF , IRFP4310ZPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.