IRFP4110PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFP4110PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFP4110PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP4110PBF даташит

 ..1. Size:288K  international rectifier
 irfp4110pbf.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

PD - 97311 IRFP4110PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply VDSS 100V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 3.7m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 4.5m ID (Silicon Limited) 180A c ID (Package Limited) 120A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D l

 6.1. Size:519K  infineon
 auirfp4110.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4110 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 100V D Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.7m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 4.5m max 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Lim

 6.2. Size:728K  cn evvo
 irfp4110.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

IRFP4110 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Electrical Characteristics (TC=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Units Off Characteristics Drain-Sourtce Breakdown Voltage VGS=0V,ID=250 A 100 --- --- V BVDSS Zero Gate Voltage Drain Current VGS=0V, VDS=100V --- --- 1 A IDSS Gate-Source Leakage Current IGSS VGS= 20V, VDS=0A --- --- 100 nA On Chara

 6.3. Size:243K  inchange semiconductor
 irfp4110.pdf pdf_icon

IRFP4110PBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4110 IIRFP4110 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.5m Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250 A) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPA105N15N3, IPA083N10N5, IPA075N15N3, IPA060N06N, IPA041N04NG, IPA040N06N, IPA029N06N, IRFP4004PBF, NCEP15T14, IRFP4127PBF, IRFP4137PBF, IRFP4227PBF, IRFP4228PBF, IRFP4229PBF, IRFP4232PBF, IRFP4242PBF, IRFP4310ZPBF