IRFP450APBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFP450APBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 64 nC
Время нарастания (tr): 36 ns
Выходная емкость (Cd): 307 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRFP450APBF
IRFP450APBF Datasheet (PDF)
irfp450apbf.pdf
PD -95054SMPS MOSFETIRFP450APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala
irfp450a.pdf
PD -91884SMPS MOSFETIRFP450AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current
irfp450a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
irfp450a sihfp450a.pdf
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
irfp450a sihfp450a.pdf
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
