IRFP450APBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFP450APBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFP450APBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP450APBF даташит

 ..1. Size:195K  international rectifier
 irfp450apbf.pdf pdf_icon

IRFP450APBF

PD -95054 SMPS MOSFET IRFP450APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A l High speed power switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avala

 6.1. Size:101K  international rectifier
 irfp450a.pdf pdf_icon

IRFP450APBF

PD -91884 SMPS MOSFET IRFP450A HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

 6.2. Size:942K  samsung
 irfp450a.pdf pdf_icon

IRFP450APBF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.308 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Val

 6.3. Size:302K  vishay
 irfp450a sihfp450a.pdf pdf_icon

IRFP450APBF

IRFP450A, SiHFP450A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 64 Ruggedness COMPLIANT Qgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 26 Avalanche Voltage and Current Configu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFP440R, IRFP4410ZPBF, IRFP441R, IRFP442R, IRFP443R, IRFP4468PBF, IRFP448PBF, IRFP449, MMIS60R580P, IRFP450B, IRFP450N, IRFP450NPBF, IRFP450PBF, IRFP450R, IRFP451R, IRFP452R, IRFP453R