Справочник MOSFET. IRFP450APBF

 

IRFP450APBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP450APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 36 ns

Выходная емкость (Cd): 307 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для IRFP450APBF

 

 

IRFP450APBF Datasheet (PDF)

0.1. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier

IRFP450APBF
IRFP450APBF

PD -95054SMPS MOSFETIRFP450APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala

6.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier

IRFP450APBF
IRFP450APBF

PD -91884SMPS MOSFETIRFP450AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current

6.2. irfp450a.pdf Size:942K _samsung

IRFP450APBF
IRFP450APBF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

 6.3. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

IRFP450APBF
IRFP450APBF

IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top