Справочник MOSFET. FCA16N60F109

 

FCA16N60F109 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCA16N60F109
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FCA16N60F109

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA16N60F109 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:518K  fairchild semi
 fca16n60n.pdf pdf_icon

FCA16N60F109

August 2009SupreMOSTMFCA16N60N N-Channel MOSFET600V, 16A, 0.170Features Description RDS(on) = 0.17 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 8A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of highvoltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 40.2nC)process that differentiates it from preceding multi-epi basedtechnologies. By

 6.2. Size:987K  fairchild semi
 fca16n60 fca16n60 f109.pdf pdf_icon

FCA16N60F109

December 2008 TMSuperFETFCA16N60 / FCA16N60_F109600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.22balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate charge perfor

Другие MOSFET... IRFP4710PBF , IRFP4768PBF , IRFP4868PBF , IRFP7430PBF , IRFP7530PBF , IRFP7537PBF , IRFP7718PBF , FCA16N60 , 20N60 , FCA20N60FS , FCA20N60S , FCA20N60SF109 , FCAB2126 , FCB110N65F , FCB11N60FTM , FCB11N60TM , FCB20N60FTM .

History: 2N6903

 

 
Back to Top

 


 
.