FCB36N60NTM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCB36N60NTM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FCB36N60NTM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB36N60NTM даташит

 ..1. Size:355K  fairchild semi
 fcb36n60n fcb36n60ntm.pdf pdf_icon

FCB36N60NTM

September 2010 SupreMOSTM FCB36N60N N-Channel MOSFET 600V, 36A, 90m Features Description RDS(on) = 81m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies.

Другие IGBT... FCA20N60SF109, FCAB2126, FCB110N65F, FCB11N60FTM, FCB11N60TM, FCB20N60FTM, FCB20N60TM, FCB290N80, IRFP260N, FCD2250N80Z, FCD3400N80Z, FCD4N60TF, FCD4N60TM, FCD5N60TMWS, FCH041N60FF085, FCH041N65FF085, FCH070N60E