Справочник MOSFET. FCB36N60NTM

 

FCB36N60NTM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCB36N60NTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 112 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FCB36N60NTM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB36N60NTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  fairchild semi
 fcb36n60n fcb36n60ntm.pdf pdf_icon

FCB36N60NTM

September 2010SupreMOSTMFCB36N60NN-Channel MOSFET 600V, 36A, 90mFeatures Description RDS(on) = 81m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQD30N06 | IRFB7740 | STF620S

 

 
Back to Top

 


 
.