FCD3400N80Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCD3400N80Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6.4 ns
Выходная емкость (Cd): 12.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.4 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
Аналог (замена) для FCD3400N80Z
FCD3400N80Z Datasheet (PDF)
fcd3400n80z fcu3400n80z.pdf
March 2015FCD3400N80Z / FCU3400N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 2 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 2.75 (Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 7.4 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ.
fcd3400n80z fcu3400n80z.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
