FCD3400N80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD3400N80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FCD3400N80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD3400N80Z даташит

 ..1. Size:810K  fairchild semi
 fcd3400n80z fcu3400n80z.pdf pdf_icon

FCD3400N80Z

March 2015 FCD3400N80Z / FCU3400N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 2.75 (Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 7.4 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ.

 ..2. Size:843K  onsemi
 fcd3400n80z fcu3400n80z.pdf pdf_icon

FCD3400N80Z

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FCB110N65F, FCB11N60FTM, FCB11N60TM, FCB20N60FTM, FCB20N60TM, FCB290N80, FCB36N60NTM, FCD2250N80Z, IRFB4227, FCD4N60TF, FCD4N60TM, FCD5N60TMWS, FCH041N60FF085, FCH041N65FF085, FCH070N60E, FCH20N60, FCH47N60F133