Справочник MOSFET. FCH041N65FF085

 

FCH041N65FF085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH041N65FF085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 234 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10529 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FCH041N65FF085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH041N65FF085 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:635K  fairchild semi
 fch041n65f f085.pdf pdf_icon

FCH041N65FF085

November 2014FCH041N65F_F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 76 A, 41 m DFeatures Typical RDS(on) = 34 m at VGS = 10 V, ID = 38 A Typical Qg(tot) = 234 nC at VGS = 10V, ID = 38 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101G RoHS CompliantDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newForcurrentpackagedrawing,

 4.2. Size:1373K  fairchild semi
 fch041n65f.pdf pdf_icon

FCH041N65FF085

December 2014FCH041N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 76 A, 41 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 36 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 226 nC

 4.3. Size:416K  onsemi
 fch041n65f-f085.pdf pdf_icon

FCH041N65FF085

MOSFET N-Channel,SUPERFET) II, FRFET)650 V, 76 A, 41 mWFCH041N65F-F085DescriptionSuperFET II Mosfet is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This technology is tailored to minimizeVDS RDS(ON) MAX ID MAXcondu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.