Справочник MOSFET. FCH070N60E

 

FCH070N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH070N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FCH070N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH070N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1351K  fairchild semi
fch070n60e.pdfpdf_icon

FCH070N60E

April 2015FCH070N60EN-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET600 V, 52 A, 70 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 58 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 128 nC

 ..2. Size:361K  inchange semiconductor
fch070n60e.pdfpdf_icon

FCH070N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor FCH070N60EFEATURESWith TO-247 packagingDrain Source Voltage-: V 600VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 70m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:695K  fairchild semi
fch077n65f f085.pdfpdf_icon

FCH070N60E

December 2014FCH077N65F_F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 54 A, 77 m DFeatures Typical RDS(on) = 68 m at VGS = 10 V, ID = 27 A Typical Qg(tot) = 126 nC at VGS = 10V, ID = 27 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101G RoHS CompliantDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newForcurrentpackagedrawing

 9.2. Size:765K  fairchild semi
fch072n60.pdfpdf_icon

FCH070N60E

August 2014FCH072N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 52 A, 72 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 66 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 95 nC)and lower

Другие MOSFET... FCB36N60NTM , FCD2250N80Z , FCD3400N80Z , FCD4N60TF , FCD4N60TM , FCD5N60TMWS , FCH041N60FF085 , FCH041N65FF085 , IRFB4115 , FCH20N60 , FCH47N60F133 , FCI11N60 , FCP20N60FS , FCPF150N65FL1 , FCPF220N80 , FCPF290N80 , FCPF4300N80Z .

History: IPB60R165CP | FXN12N65F

 

 
Back to Top

 


 
.