Справочник MOSFET. FDA16N50

 

FDA16N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA16N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FDA16N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA16N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:824K  fairchild semi
 fda16n50.pdf pdf_icon

FDA16N50

April 2007TMUniFETFDA16N50500V N-Channel MOSFETFeatures Description 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 32 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:718K  fairchild semi
 fda16n50 f109.pdf pdf_icon

FDA16N50

July 2007TMUniFETFDA16N50 / FDA16N50_F109500V N-Channel MOSFETFeatures Description 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 32 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especial

 0.1. Size:497K  fairchild semi
 fda16n50ldtu.pdf pdf_icon

FDA16N50

August 2014FDA16N50LDTUN-Channel UniFETTM MOSFET500 V, 16.5 A, 380 mFeatures Description RDS(on) = 310 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 8.3 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 32 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 20 pF)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.