Справочник MOSFET. FDA75N28

 

FDA75N28 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA75N28
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 915 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FDA75N28

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA75N28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  fairchild semi
 fda75n28.pdf pdf_icon

FDA75N28

October 2006TMUniFETFDA75N28 280V N-Channel MOSFETFeatures Description 75A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FCPF7N60T , FCPF7N60YDTU , FCU2250N80Z , FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , AON7410 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 .

 

 
Back to Top

 


 
.