FDA75N28 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDA75N28
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 280 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 111 nC
Время нарастания (tr): 580 ns
Выходная емкость (Cd): 915 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
FDA75N28 Datasheet (PDF)
..1. Size:767K fairchild semi
fda75n28.pdf
fda75n28.pdf
October 2006TMUniFETFDA75N28 280V N-Channel MOSFETFeatures Description 75A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
