FDB5800F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB5800F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для FDB5800F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB5800F085 даташит

 7.1. Size:247K  fairchild semi
 fdb5800 f085.pdf pdf_icon

FDB5800F085

September 2005 FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS Systems Rdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

 7.2. Size:249K  fairchild semi
 fdb5800.pdf pdf_icon

FDB5800F085

September 2005 FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS Systems Rdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

Другие IGBT... FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0, FDB44N25TM, FDB52N20TM, FDB5645, TK10A60D, FDB6021P, FDB6670AS, FDB6690S, FDB7030LL86Z, FDB8132, FDB8160, FDB8444TS, FDB86563F085