Справочник MOSFET. FDB5800F085

 

FDB5800F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB5800F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для FDB5800F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB5800F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:247K  fairchild semi
 fdb5800 f085.pdf pdf_icon

FDB5800F085

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

 7.2. Size:249K  fairchild semi
 fdb5800.pdf pdf_icon

FDB5800F085

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

Другие MOSFET... FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM , FDB52N20TM , FDB5645 , IRFZ24N , FDB6021P , FDB6670AS , FDB6690S , FDB7030LL86Z , FDB8132 , FDB8160 , FDB8444TS , FDB86563F085 .

History: JFPC13N50C | IRF721FI

 

 
Back to Top

 


 
.