FDD2612. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD2612

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FDD2612

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD2612 даташит

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdd2612.pdf pdf_icon

FDD2612

August 2001 FDD2612 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.9 A, 200 V. RDS(ON) = 720 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has be

 9.1. Size:606K  fairchild semi
 fdd26an06a0.pdf pdf_icon

FDD2612

August 2004 FDD26AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 26m Features Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 10V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conv

 9.2. Size:871K  fairchild semi
 fdd26an06 f085.pdf pdf_icon

FDD2612

Aug 2011 FDD26AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 26m Applications Features Motor / Body Load Control rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 10V, ID = 36A ABS Systems Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Si

 9.3. Size:95K  fairchild semi
 fdd2670.pdf pdf_icon

FDD2612

November 2001 FDD2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.6 A, 200 V. RDS(ON) = 130 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. Fast switching speed These MOSFETs

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDD107AN06LA0, FDD10N20LZTM, FDD14AN06LA0, FDD16AN08A0NF054, FDD20AN06A0, FDD24AN06LA0, FDD2512, FDD2570, IRF840, FDD26AN06A0, FDD3570, FDD3N50NZTM, FDD45AN06LA0, FDD45AN06LA0F085, FDD5810, FDD5N60NZTM, FDD6512A