Справочник MOSFET. FDD2612

 

FDD2612 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD2612
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FDD2612

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD2612 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fairchild semi
fdd2612.pdfpdf_icon

FDD2612

August 2001FDD2612200V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.9 A, 200 V. RDS(ON) = 720 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremelyswitching PWM controllers. It has be

 9.1. Size:606K  fairchild semi
fdd26an06a0.pdfpdf_icon

FDD2612

August 2004FDD26AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 26mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 10V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conv

 9.2. Size:871K  fairchild semi
fdd26an06 f085.pdfpdf_icon

FDD2612

Aug 2011FDD26AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 26mApplicationsFeatures Motor / Body Load Control rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 10V, ID = 36A ABS Systems Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Si

 9.3. Size:95K  fairchild semi
fdd2670.pdfpdf_icon

FDD2612

November 2001FDD2670200V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 3.6 A, 200 V. RDS(ON) = 130 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional Low gate chargeswitching PWM controllers. Fast switching speedThese MOSFETs

Другие MOSFET... FDD107AN06LA0 , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , IRF840 , FDD26AN06A0 , FDD3570 , FDD3N50NZTM , FDD45AN06LA0 , FDD45AN06LA0F085 , FDD5810 , FDD5N60NZTM , FDD6512A .

History: NP82N055NHE | 2SK2596 | SPB04N60C3 | BSO200P03S | TT8K11

 

 
Back to Top

 


 
.