Справочник MOSFET. FDD45AN06LA0

 

FDD45AN06LA0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD45AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для FDD45AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD45AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  fairchild semi
 fdd45an06la0 fdd45an06la0 f085.pdf pdf_icon

FDD45AN06LA0

February 2004FDD45AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 22A, 45mFeatures Applications rDS(ON) = 39m (Typ.), VGS = 5V, ID = 22A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 8.3nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

Другие MOSFET... FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 , FDD26AN06A0 , FDD3570 , FDD3N50NZTM , 50N06 , FDD45AN06LA0F085 , FDD5810 , FDD5N60NZTM , FDD6512A , FDD6606 , FDD6632 , FDD6670AL , FDD6670AS .

History: IPW65R190CFDA | IRFB7530 | IRF1018EPBF | HY5N50T

 

 
Back to Top

 


 
.