FDFS6N548 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDFS6N548
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 2 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDFS6N548 Datasheet (PDF)
fdfs6n548.pdf
August 2014FDFS6N548Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode30V, 7A, 23mFeatures General Description Max rDS(on) = 23m at VGS = 10V, ID = 7AThe FDFS6N548 combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 30m at VGS = 4.5V, ID = 6Aforward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-
fdfs6n548.pdf
FDFS6N548Integrated N-ChannelPOWERTRENCH MOSFETand Schottky DiodeDescriptionThe FDFS6N548 combines the exceptional performance ofwww.onsemi.comON Semiconductors PowerTrench MOSFET technology with a verylow forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.This device is designed specifically as a single package solution forDDDC to DC converters. It
fdfs6n303.pdf
October 2003 FDFS6N303 N-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description FeaturesThe FDFS6N303 incorporates a high cell density MOSFET 6 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS = 10 V.and low forward drop (0.35V) Schottky diode into a single R = 0.055 @ VGS = 4.5 V.DS(ON)surface mount power package. The MOSFET and SchottkyVF
fdfs6n754.pdf
Final DatasheetAugust 2014FDFS6N754Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode30V, 4A, 56mFeatures General Description Max rDS(on) = 56m at VGS = 0V, ID = 4AThe FDFS6N754 combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very Max rDS(on) = 75m at VGS = 4.5V, ID = 3.5Alow forward voltage drop Schottky barrier re
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
