FDJ129P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDJ129P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SC75-6FLMP
Аналог (замена) для FDJ129P
FDJ129P Datasheet (PDF)
fdj129p.pdf

November 2007tmFDJ129P P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -2.5V specified MOSFET uses 4.2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate ch
fdj127p.pdf

July 2004 FDJ127P P-Channel -1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -1.8V specified MOSFET uses 4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 60 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage Power TrenchRDS(ON) = 85 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 133 m @ VGS = 1.8 V management
fdj128n fdj128n f077.pdf

August 2004 FDJ128N N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel -2.5V specified MOSFET uses 5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 51 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate charge Application
Другие MOSFET... FDI047AN08A0 , FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , K2611 , FDM100-0045SP , FDM21-05QC , FDM606P , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 .
History: SI7980DP | NCEP026N85D | NCEP026N10D | VBZA4042 | PTW40N50 | NCE8205A
History: SI7980DP | NCEP026N85D | NCEP026N10D | VBZA4042 | PTW40N50 | NCE8205A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003