Справочник MOSFET. FDJ129P

 

FDJ129P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDJ129P
   Маркировка: .A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SC75-6FLMP

 Аналог (замена) для FDJ129P

 

 

FDJ129P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  fairchild semi
 fdj129p.pdf

FDJ129P FDJ129P

November 2007tmFDJ129P P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -2.5V specified MOSFET uses 4.2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate ch

 9.1. Size:170K  fairchild semi
 fdj127p.pdf

FDJ129P FDJ129P

July 2004 FDJ127P P-Channel -1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -1.8V specified MOSFET uses 4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 60 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage Power TrenchRDS(ON) = 85 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 133 m @ VGS = 1.8 V management

 9.2. Size:173K  fairchild semi
 fdj128n fdj128n f077.pdf

FDJ129P FDJ129P

August 2004 FDJ128N N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel -2.5V specified MOSFET uses 5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 51 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate charge Application

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SRM7N65DTR-E1

 

 
Back to Top