FDMC86340ET80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDMC86340ET80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 468 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: POWER33

Аналог (замена) для FDMC86340ET80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC86340ET80 даташит

 ..1. Size:281K  fairchild semi
 fdmc86340et80.pdf pdf_icon

FDMC86340ET80

January 2015 FDMC86340ET80 N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 80 V, 68 A, 6.5 m Features General Description Extended TJ rating to 175 C This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that Shielded Gate MOSFET Technology incorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 6.5 m at VGS = 10

 5.1. Size:241K  fairchild semi
 fdmc86340.pdf pdf_icon

FDMC86340ET80

 7.1. Size:299K  fairchild semi
 fdmc86324.pdf pdf_icon

FDMC86340ET80

May 2010 FDMC86324 N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 m Features General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = 6 V, ID = 4 A been especially tailored to minimize the on-state resistance and Low Profile - 1 mm

 7.2. Size:492K  fairchild semi
 fdmc86320.pdf pdf_icon

FDMC86340ET80

June 2014 FDMC86320 N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 22 A, 11.7 m Features General Description Max rDS(on) = 11.7 m at VGS = 10 V, ID = 10.7 A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node Max rDS(on) = 16 m at VGS = 8 V, ID = 8.5 A ringing of DC/DC converters using either synchronous or MSL1 robust

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDMA86108LZ, FDMA86251, FDMB506P, FDMC6688P, FDMC8010ET30, FDMC86160ET100, FDMC86260ET150, FDMC86262P, RU7088R, FDMC86570LET60, FDMC8676, FDMC8678S, FDMD85100, FDMD86100, FDMD8900, FDME0106NZT, FDMS0308CS