FDP5N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDP5N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDP5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDP5N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  fairchild semi
 fdp5n50 fdpf5n50.pdf pdf_icon

FDP5N50

December 2007UniFETTMFDP5N50 / FDPF5N50tmN-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4Features Description RDS(on) = 1.15 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology has bee

 ..2. Size:371K  fairchild semi
 fdp5n50.pdf pdf_icon

FDP5N50

May 2012UniFETTMFDP5N50 / FDPF5N50TtmN-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4Features Description RDS(on) = 1.15 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology has been es

 0.1. Size:247K  fairchild semi
 fdp5n50nz fdpf5n50nz.pdf pdf_icon

FDP5N50

March 2010UniFET-IITMFDP5N50NZ / FDPF5N50NZtmN-Channel MOSFET500V, 4.5A, 1.5Features Description RDS(on) = 1.38 (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.25A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low Gate Charge (Typ. 9nC)DMOS technology. Low Crss (Typ. 4pF)This advance technology has b

 0.2. Size:256K  fairchild semi
 fdp5n50nzf fdpf5n50nzf.pdf pdf_icon

FDP5N50

February 2010TMUniFET-IIFDP5N50NZF / FDPF5N50NZFtmN-Channel MOSFET500V, 4.2A, 1.75Features Description RDS(on) = 1.57 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.1A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low Gate Charge ( Typ. 9nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 4pF)This advanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDP16N50 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , AON7410 , FDP75N08 , FDP79N15 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 , FDP8878 , FDP8N50NZU , FDPC5018SG .

 

 
Back to Top

 


 
.