Справочник MOSFET. FDP8N50NZU

 

FDP8N50NZU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP8N50NZU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDP8N50NZU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP8N50NZU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  fairchild semi
 fdp8n50nzu fdpf8n50nzu.pdf pdf_icon

FDP8N50NZU

February 2010UniFET-IITMFDP8N50NZU / FDPF8N50NZUtmN-Channel MOSFET500V, 6.5A, 1.2Features Description RDS(on) = 1.0 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.25A This N-Channel enhancement mode power field effect transistorsare produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC)technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advance t echnology

 ..2. Size:564K  fairchild semi
 fdp8n50nzu.pdf pdf_icon

FDP8N50NZU

February 2010UniFET-IITMFDP8N50NZU / FDPF8N50NZUtmN-Channel MOSFET500V, 6.5A, 1.2Features Description RDS(on) = 1.0 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.25A This N-Channel enhancement mode power field effect transistorsare produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC)technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advance t echnology

 5.1. Size:719K  fairchild semi
 fdp8n50nz fdpf8n50nzt.pdf pdf_icon

FDP8N50NZU

October 2009UniFETTMFDP8N50NZ / FDPF8N50NZTN-Channel MOSFET 500V, 8A, 0.85Features Description RDS(on) = 0.77 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4A This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC)technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advance technology has been

 5.2. Size:245K  fairchild semi
 fdp8n50nz fdpf8n50nz fdpf8n50nzt.pdf pdf_icon

FDP8N50NZU

March 2010UniFETTMFDP8N50NZ / FDPF8N50NZtmN-Channel MOSFET500V, 8A, 0.85Features Description RDS(on) = 0.77 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4A This N-Channel enhancement mode power field effect transistorsare produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC)technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advance technology has been es

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , FDP79N15 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 , FDP8878 , IRF530 , FDPC5018SG , FDPC5030SG , FDPF12N35 , FDPF12N50NZT , FDPF14N30T , FDPF15N65YDTU , FDPF18N20F , FDPF52N20T .

History: CS10N60A8HD | RS1G120MN | NTMFS4939NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.