Справочник MOSFET. FDS3170N7

 

FDS3170N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS3170N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS3170N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS3170N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 fds3170n7.pdf pdf_icon

FDS3170N7

May 2003 FDS3170N7 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 6.7 A, 100 V. RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 28 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High p

Другие MOSFET... FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , FDS2170N7 , 2N60 , FDS3612 , FDS3670 , FDS3680 , FDS3682 , FDS4070N3 , FDS4070N7 , FDS4072N3 , FDS4072N7 .

History: HFP10N65S | CJPF01N65B | NVMFD5C470N | AON7516 | AM3446N | AP3B026M | SWB056R68E7T

 

 
Back to Top

 


 
.