FDS3170N7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS3170N7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 171 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS3170N7 Datasheet (PDF)
..1. Size:206K fairchild semi
fds3170n7.pdf
fds3170n7.pdf
May 2003 FDS3170N7 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 6.7 A, 100 V. RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 28 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High p
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
