Справочник MOSFET. FDS3170N7

 

FDS3170N7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS3170N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для FDS3170N7

 

 

FDS3170N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 fds3170n7.pdf

FDS3170N7 FDS3170N7

May 2003 FDS3170N7 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 6.7 A, 100 V. RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 28 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top