FDS3170N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS3170N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS3170N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS3170N7 даташит

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 fds3170n7.pdf pdf_icon

FDS3170N7

May 2003 FDS3170N7 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 6.7 A, 100 V. RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 28 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High p

Другие IGBT... FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7, 20N50, FDS3612, FDS3670, FDS3680, FDS3682, FDS4070N3, FDS4070N7, FDS4072N3, FDS4072N7