IRFR010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR010

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR010

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR010 даташит

 ..1. Size:169K  1
 irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdf pdf_icon

IRFR010

 ..2. Size:279K  international rectifier
 irfr010 irfr012 irfu010 irfu012.pdf pdf_icon

IRFR010

 ..3. Size:309K  vishay
 irfr010 sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010

IRFR010, SiHFR010 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Drive Current VDS (V) 50 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Qgs (nC) 2.6 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.8 Material categorization For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?

 ..4. Size:1696K  vishay
 irfr010pbf sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010

IRFR010, SiHFR010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Drive Current VDS (V) 50 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature Stability Qgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qgd (nC) 4.8 Configuration Single DESCRIPTION The Power MOSFET technology i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPF30, IRFPF40, IRFPF50, IRFPG30, IRFPG40, IRFPG50, IRFPS37N50A, IRFPS59N60C, IRF730, IRFR012, IRFR014, IRFR014A, IRFR015, IRFR020, IRFR022, IRFR024, IRFR024A