Справочник MOSFET. IRFR010

 

IRFR010 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR010
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR010

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  1
irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdfpdf_icon

IRFR010

 ..2. Size:279K  international rectifier
irfr010 irfr012 irfu010 irfu012.pdfpdf_icon

IRFR010

 ..3. Size:309K  vishay
irfr010 sihfr010.pdfpdf_icon

IRFR010

IRFR010, SiHFR010www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of ParallelingQgs (nC) 2.6 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.8 Material categorization: For definitions of complianceplease see www.vishay.com/doc?

 ..4. Size:1696K  vishay
irfr010pbf sihfr010.pdfpdf_icon

IRFR010

IRFR010, SiHFR010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 4.8Configuration Single DESCRIPTIONThe Power MOSFET technology i

Другие MOSFET... IRFPF30 , IRFPF40 , IRFPF50 , IRFPG30 , IRFPG40 , IRFPG50 , IRFPS37N50A , IRFPS59N60C , BS170 , IRFR012 , IRFR014 , IRFR014A , IRFR015 , IRFR020 , IRFR022 , IRFR024 , IRFR024A .

History: IRF8736TR | STP6N90K5 | RQ1C065UN | R6515ENZ | FDD107AN06LA0 | MMFT60R195PCTH | STP190NF04

 

 
Back to Top

 


 
.