FDS6673AZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS6673AZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS6673AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6673AZ даташит

 ..1. Size:130K  fairchild semi
 fds6673az.pdf pdf_icon

FDS6673AZ

 7.1. Size:226K  fairchild semi
 fds6673bz.pdf pdf_icon

FDS6673AZ

March 2009 FDS6673BZ P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 7.8m , VGS = -10V, ID = -14.5A Semiconductor s advanced Power Trench process that Max rDS(on) = 12m , VGS = -4.5V, ID = -12A has been especially tailored to minimize the on-state Extended VGS range (-25V) for b

 7.2. Size:600K  fairchild semi
 fds6673bz f085.pdf pdf_icon

FDS6673AZ

July 2009 FDS6673BZ_F085 P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 7.8m , VGS = -10V, ID = -14.5A Semiconductor s advanced Power Trench process that Max rDS(on) = 12m , VGS = -4.5V, ID = -12A has been especially tailored to minimize the on-state Extended VGS range (-25V)

 7.3. Size:285K  onsemi
 fds6673bz.pdf pdf_icon

FDS6673AZ

FDS6673BZ P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Features General Description Max rDS(on) = 7.8m , VGS = -10V, ID = -14.5A This P-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced Power Trench process that Max rDS(on) = 12m , VGS = -4.5V, ID = -12A has been especially tailored to minimize the on-state Extended VGS range (-25V) for battery applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDS6064N3, FDS6064N7, FDS6162N3, FDS6162N7, FDS6299S, FDS6572A, FDS6609A, FDS6672A, AOD4184A, FDS6675A, FDS6679Z, FDS6680S, FDS6688, FDS6688AS, FDS6688S, FDS6694, FDS7060N7