FDS7060N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS7060N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 721 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS7060N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS7060N7 даташит

 ..1. Size:211K  fairchild semi
 fds7060n7.pdf pdf_icon

FDS7060N7

May 2003 FDS7060N7 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 19 A, 30 V. RDS(ON) = 5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 7 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High perfor

 8.1. Size:169K  fairchild semi
 fds7064n.pdf pdf_icon

FDS7060N7

January 2004 FDS7064N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 16 A, 30 V RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been optim

 8.2. Size:169K  fairchild semi
 fds7066n3.pdf pdf_icon

FDS7060N7

February 2004 FDS7066N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 30 V RDS(ON) = 5.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for Hig

 8.3. Size:132K  fairchild semi
 fds7066asn3.pdf pdf_icon

FDS7060N7

August 2004 FDS7066ASN3 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features The FDS7066ASN3 is designed to replace a single SO- 19 A, 30 V RDS(ON) = 4.8 m @ VGS = 10 V 8 FLMP MOSFET and Schottky diode in synchronous RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 4.5 V DC DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDS6673AZ, FDS6675A, FDS6679Z, FDS6680S, FDS6688, FDS6688AS, FDS6688S, FDS6694, IRF740, FDS7064N, FDS7064N7, FDS7064SN3, FDS7066ASN3, FDS7066N3, FDS7066N7, FDS7079ZN3, FDS7082N3