FDS7296N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS7296N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS7296N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS7296N3 даташит

 ..1. Size:121K  fairchild semi
 fds7296n3.pdf pdf_icon

FDS7296N3

September 2004 FDS7296N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 15 A, 30 V RDS(ON) = 8 m @ VGS = 10 V SO8 FLMP package has been designed specifically to RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V improve the overall efficiency of DC/DC converters. Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal f

 9.1. Size:173K  fairchild semi
 fds7288n3.pdf pdf_icon

FDS7296N3

February 2004 FDS7288N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 20.5 A, 30 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 10 V SO8 FLMP package has been designed specifically to RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 4.5 V improve the overall efficiency of DC/DC converters. Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal for

Другие IGBT... FDS7079ZN3, FDS7082N3, FDS7088N3, FDS7088N7, FDS7088SN3, FDS7096N3, FDS7098N3, FDS7288N3, IRFB4227, FDS7760A, FDS7764S, FDS7779Z, FDS7788, FDS8670, FDS8812NZ, FDS8874, FDS9412A