FDU8580. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU8580

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU8580

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU8580 даташит

 ..1. Size:333K  fairchild semi
 fdd8580 fdu8580.pdf pdf_icon

FDU8580

July 2006 FDD8580/FDU8580 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9m Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically Max rDS(on) = 9m at VGS = 10V, ID = 35A to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) =13m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been opti

 8.1. Size:388K  fairchild semi
 fdd8586 fdu8586.pdf pdf_icon

FDU8580

January 2007 FDD8586/FDU8586 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5m Features General Description Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It h

Другие IGBT... FDU6512A, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688, FDU6N50F, FDU6N50TU, FDU7030BL, AON7410, FDU8586, FDU8770, FDU8770F071, FDU8778, FDU8780, FDU8780F071, FDU8782, FDU8796