FDU8782 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

FDU8782. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU8782

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU8782

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

FDU8782 даташит

..1. Size:395K fairchild semi
fdu8782.pdf pdf_icon

November 2009 FDD8782/FDU8782 N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 11m General Description Features Max rDS(on) = 11.0m at VGS = 10V, ID = 35A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 14.0m at VGS = 4.5V, ID = 35A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has be

..2. Size:418K fairchild semi
fdd8782 fdu8782.pdf pdf_icon

8.1. Size:312K fairchild semi
fdu8780 fdu8780 f071.pdf pdf_icon

March 2006 FDD8780/FDU8780 N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 8.5m General Description Features Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 10V, ID = 35A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 12.0m at VGS = 4.5V, ID = 35A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has be

8.2. Size:314K fairchild semi
fdd8780 fdu8780.pdf pdf_icon