Справочник MOSFET. FDW252P

 

FDW252P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDW252P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1035 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для FDW252P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDW252P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  fairchild semi
 fdw252p.pdf pdf_icon

FDW252P

July 2008FDW252PP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 8.8 A, 20 V. RDS(ON) = 0.0125 @ VGS = 4.5 Vgate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 0.018 @ VGS = 2.5 VPowerTrench process. It has been optimized for powermanagement applications w

 9.1. Size:209K  fairchild semi
 fdw254pz.pdf pdf_icon

FDW252P

July 2008 FDW254PZ P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 9.2 A, 20 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 15 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(ON) = 21.5 m @ VGS = 1.8 V

 9.2. Size:159K  fairchild semi
 fdw254p.pdf pdf_icon

FDW252P

June 2008FDW254PP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 9.2 A, 20 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 Vgate version of Fairchild Semiconductors advancedRDS(ON) = 15 m @ VGS = 2.5 VPowerTrench process. It has been optimized for powerRDS(ON) = 21.5 m @ VGS = 1.8

 9.3. Size:307K  fairchild semi
 fdw258p.pdf pdf_icon

FDW252P

July 2008 FDW258P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 9 A, 12 V. RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 14 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(ON) = 20 m @ V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDU8896 , FDV301ND87Z , FDV301NNB9V005 , FDV302PD87Z , FDV302PNB8V001 , FDV303NNB9U008 , FDV304PD87Z , FDV304PNB8U003 , 75N75 , FDW254P , FDW254PZ , FDW256P , FDW258P , FDW262P , FDW264P , FDW6923 , FDZ201N .

History: UK1398 | CS7N65CD | SSF3339 | HTS085P03E | 2SJ551S | MMD60R580PRH | CHM05P03NGP

 

 
Back to Top

 


 
.