FDZ204P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ204P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SSOT-6

Аналог (замена) для FDZ204P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ204P даташит

 ..1. Size:166K  fairchild semi
 fdz204p.pdf pdf_icon

FDZ204P

 9.1. Size:217K  fairchild semi
 fdz206p.pdf pdf_icon

FDZ204P

February 2006 FDZ206P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 13 A, 20 V. rDS(on) = 9.5 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA rDS(on) = 14.5 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ206P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA M

 9.2. Size:193K  fairchild semi
 fdz208p.pdf pdf_icon

FDZ204P

February 2006 FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 30 Volt P-Channel 12.5 A, 30 V. rDS(on) = 10.5 m @ VGS = 10 V Trench II Process with 25 Volts Vgs. Abs. Max Gate rDS(on) = 16.5 m @ VGS = 4.5 V Rating for the ultimate low rDS(on) Battery Protection MOSFET. Th

 9.3. Size:167K  fairchild semi
 fdz202p.pdf pdf_icon

FDZ204P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDW254PZ, FDW256P, FDW258P, FDW262P, FDW264P, FDW6923, FDZ201N, FDZ202P, AO3400A, FDZ206P, FDZ208P, FDZ209N, FDZ291P, FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P