FDZ299P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ299P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: BGA

Аналог (замена) для FDZ299P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ299P даташит

 ..1. Size:208K  fairchild semi
 fdz299p.pdf pdf_icon

FDZ299P

February 2006 FDZ299P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 55 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 80 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ299P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a

 9.1. Size:241K  fairchild semi
 fdz291p.pdf pdf_icon

FDZ299P

February 2006 FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 1.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 40 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ291P minimizes both PCB space RDS(ON) = 160 m @ VGS = 1.5 V and

 9.2. Size:145K  fairchild semi
 fdz294n.pdf pdf_icon

FDZ299P

July 2005 FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 34 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ294N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2

 9.3. Size:240K  fairchild semi
 fdz293p.pdf pdf_icon

FDZ299P

Feb 2006 FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V rDS(on) = 46 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA rDS(on) = 72 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ293P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDZ204P, FDZ206P, FDZ208P, FDZ209N, FDZ291P, FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, IRLB3034, FDZ3N513ZT, FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296