Справочник MOSFET. FDZ299P

 

FDZ299P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDZ299P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: BGA

 Аналог (замена) для FDZ299P

 

 

FDZ299P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  fairchild semi
 fdz299p.pdf

FDZ299P FDZ299P

February 2006 FDZ299P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 55 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 80 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ299P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a

 9.1. Size:241K  fairchild semi
 fdz291p.pdf

FDZ299P FDZ299P

February 2006 FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 1.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 40 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 Vpackaging, the FDZ291P minimizes both PCB space RDS(ON) = 160 m @ VGS = 1.5 V and

 9.2. Size:145K  fairchild semi
 fdz294n.pdf

FDZ299P FDZ299P

July 2005 FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 34 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ294N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2

 9.3. Size:240K  fairchild semi
 fdz293p.pdf

FDZ299P FDZ299P

Feb 2006 FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V rDS(on) = 46 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA rDS(on) = 72 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ293P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a

 9.4. Size:136K  fairchild semi
 fdz298n.pdf

FDZ299P FDZ299P

May 2005 FDZ298N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 27 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 39 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ298N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQD2N90TF

 

 
Back to Top