ZVN0540ASTOB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN0540ASTOB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для ZVN0540ASTOB
ZVN0540ASTOB Datasheet (PDF)
zvn0540astoa zvn0540astob zvn0540astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0540AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V V
zvn0540a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0540AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V V
zvn0545gta zvn0545gtc.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - DECEMBER 1995 FEATURES* 450 Volts VDSD* RDS(on)= 50* Ease of parallelingSDPARTMARKING DETAIL ZVN0545GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 140 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS
zvn0545astob zvn0545astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 450 Volts VDS* RDS(on)= 50D G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Pt
zvn0545g.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - DECEMBER 1995 FEATURES* 450 Volts VDSD* RDS(on)= 50* Ease of parallelingSDPARTMARKING DETAIL ZVN0545GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 140 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS
zvn0545a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 450 Volts VDS* RDS(on)= 50D G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Pt
zvn0545astoa zvn0545astob.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 450 Volts VDS* RDS(on)= 50D G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Pt
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: UPA1727G | IRFI644G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918