IRFPC50APBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPC50APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для IRFPC50APBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPC50APBF даташит

 ..1. Size:895K  vishay
irfpc50apbf.pdfpdf_icon

IRFPC50APBF

IRFPC50A, SiHFPC50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.58 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 70 Ruggedness Qgs (nC) 19 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 28 and Current Configur

 6.1. Size:95K  international rectifier
irfpc50a.pdfpdf_icon

IRFPC50APBF

PD- 91898 SMPS MOSFET IRFPC50A HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 600V 0.58 11A High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

 6.2. Size:889K  vishay
irfpc50a sihfpc50a.pdfpdf_icon

IRFPC50APBF

IRFPC50A, SiHFPC50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.58 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 70 Ruggedness Qgs (nC) 19 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 28 and Current Configur

 7.1. Size:154K  international rectifier
irfpc50lc.pdfpdf_icon

IRFPC50APBF

PD - 9.1233 IRFPC50LC HEXFET Power MOSFET Ultra Low Gate Charge Reduced Gate Drive Requirement VDSS = 600V Enhanced 30V Vgs Rating Reduced Ciss, Coss, Crss RDS(on) = 0.60 Isolated Central Mounting Hole Dynamic dv/dt Rated Repetitive Avalanche Rated ID = 11A Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional

Другие IGBT... IRFP9140NPBF, IRFP9140PBF, IRFP9240PBF, IRFPC32, IRFPC40PBF, IRFPC40R, IRFPC42, IRFPC42R, IRF640N, IRFPC50LCPBF, IRFPC50PBF, IRFPC60LCPBF, IRFPC60PBF, IRFPE20, IRFPE22, IRFPE30PBF, IRFPE32