IRFPS37N50APBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPS37N50APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-274AA

Аналог (замена) для IRFPS37N50APBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPS37N50APBF даташит

 ..1. Size:153K  international rectifier
 irfps37n50apbf.pdf pdf_icon

IRFPS37N50APBF

PD- 95142 IRFPS37N50APbF SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptable Power Supply 500V 0.13 36A l High Speed Power Switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalan

 3.1. Size:115K  international rectifier
 irfps37n50a.pdf pdf_icon

IRFPS37N50APBF

PD- 91822C SMPS MOSFET IRFPS37N50A HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 0.13 36A High Speed Power Switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Curre

 3.2. Size:177K  vishay
 irfps37n50a sihfps37n50a.pdf pdf_icon

IRFPS37N50APBF

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 71 and Cur

 3.3. Size:176K  infineon
 irfps37n50a sihfps37n50a.pdf pdf_icon

IRFPS37N50APBF

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 71 and Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPG32, IRFPG40PBF, IRFPG42, IRFPG50PBF, IRFPG52, IRFPS29N60LPBF, IRFPS30N60KPBF, IRFPS35N50LPBF, 12N60, IRFPS3810PBF, IRFPS3815PBF, IRFPS38N60L, IRFPS38N60LPBF, IRFPS40N50L, IRFPS40N50LPBF, IRFPS40N60K, IRFPS40N60KPBF