IRFR15N20DPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR15N20DPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IRFR15N20DPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR15N20DPBF даташит

 ..1. Size:225K  international rectifier
 irfr15n20dpbf irfu15n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

PD - 95355A IRFR15N20DPbF SMPS MOSFET IRFU15N20DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 200V 0.165 17A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage D-P

 4.1. Size:230K  international rectifier
 irfr15n20d.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

PD - 94245 IRFR15N20D SMPS MOSFET IRFU15N20D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 200V 0.165 17A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage D-Pak I-Pak and Current I

 4.2. Size:1603K  cn vbsemi
 irfr15n20dtr.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

IRFR15N20DTR www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA

 4.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfr15n20d.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR15N20D, IIRFR15N20D FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 165m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPS38N60LPBF, IRFPS40N50L, IRFPS40N50LPBF, IRFPS40N60K, IRFPS40N60KPBF, IRFPS43N50K, IRFPS43N50KPBF, IRFRC20PBF, AO4407, IRFR18N15DPBF, IRFR1N60APBF, IRFR210PBF, IRFR214PBF, IRFR220BTMFP001, IRFR220NPBF, IRFR220PBF, IRFR224PBF