Справочник MOSFET. IRFR15N20DPBF

 

IRFR15N20DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR15N20DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR15N20DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  international rectifier
 irfr15n20dpbf irfu15n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

PD - 95355AIRFR15N20DPbFSMPS MOSFET IRFU15N20DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters200V 0.165 17Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-P

 4.1. Size:230K  international rectifier
 irfr15n20d.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

PD - 94245IRFR15N20DSMPS MOSFET IRFU15N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.165 17ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand CurrentI

 4.2. Size:1603K  cn vbsemi
 irfr15n20dtr.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

IRFR15N20DTRwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

 4.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfr15n20d.pdf pdf_icon

IRFR15N20DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR15N20D, IIRFR15N20DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)165mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI7380ADP | BF964S | NP48N055NLE | BSC032N03SG | 3401A | SE30P09D | SI7288DP

 

 
Back to Top

 


 
.