ZVN2110ASTZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZVN2110ASTZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для ZVN2110ASTZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVN2110ASTZ даташит

 ..1. Size:61K  diodes
 zvn2110astoa zvn2110astob zvn2110astz.pdf pdf_icon

ZVN2110ASTZ

 6.1. Size:66K  diodes
 zvn2110a.pdf pdf_icon

ZVN2110ASTZ

 7.1. Size:48K  diodes
 zvn2110g.pdf pdf_icon

ZVN2110ASTZ

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

 7.2. Size:37K  diodes
 zvn2110gta zvn2110gtc.pdf pdf_icon

ZVN2110ASTZ

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZVN2106ASTOA, ZVN2106ASTOB, ZVN2106ASTZ, ZVN2106B, ZVN2106GTA, ZVN2106GTC, ZVN2110ASTOA, ZVN2110ASTOB, IRFZ46N, ZVN2110GTA, ZVN2110GTC, ZVN2120GTA, ZVN2120GTC, ZVN3306ASTOA, ZVN3306ASTOB, ZVN3306ASTZ, ZVN3306FTA