Справочник MOSFET. ZVN2110GTC

 

ZVN2110GTC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZVN2110GTC
   Маркировка: ZVN2110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для ZVN2110GTC

 

 

ZVN2110GTC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  diodes
 zvn2110gta zvn2110gtc.pdf

ZVN2110GTC ZVN2110GTC

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2110GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURESD* 6A PULSE DRAIN CURRENT* FAST SWITCHING SPEED=VVV SVVDPARTMARKING DETAIL - ZVN2110GCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITVDrain-Source Voltage VDS 100 V10 Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 500 mAPulsed Drain

 6.1. Size:48K  diodes
 zvn2110g.pdf

ZVN2110GTC ZVN2110GTC

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2110GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURESD* 6A PULSE DRAIN CURRENT* FAST SWITCHING SPEED=VVV SVVDPARTMARKING DETAIL - ZVN2110GCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITVDrain-Source Voltage VDS 100 V10 Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 500 mAPulsed Drain

 7.1. Size:61K  diodes
 zvn2110astoa zvn2110astob zvn2110astz.pdf

ZVN2110GTC ZVN2110GTC

N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN2110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDSVGS=10V * RDS(on)= 49V8V7V6VD G S5VE-LineTO92 Compatible4VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT3VDrain-Source Voltage VDS 100 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate Source Voltage VGS

 7.2. Size:66K  diodes
 zvn2110a.pdf

ZVN2110GTC ZVN2110GTC

N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN2110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDSVGS=10V * RDS(on)= 49V8V7V6VD G S5VE-LineTO92 Compatible4VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT3VDrain-Source Voltage VDS 100 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate Source Voltage VGS

 7.3. Size:26K  diodes
 zvn2110c.pdf

ZVN2110GTC

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2110CMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-Line T V TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V 8 V ID VD V V I

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FTD04N60A

 

 
Back to Top