Справочник MOSFET. IRFR210

 

IRFR210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  1
irfr210 irfr212.pdfpdf_icon

IRFR210

 ..2. Size:1298K  international rectifier
irfr210pbf irfu210pbf.pdfpdf_icon

IRFR210

PD - 95068AIRFR210PbFIRFU210PbF Lead-Free12/9/04Document Number: 91268 www.vishay.com1IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com2IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com3IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com4IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com5IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com6IRFR/U21

 ..3. Size:171K  international rectifier
irfr210.pdfpdf_icon

IRFR210

 ..4. Size:821K  vishay
irfr210pbf irfu210pbf sihfr210 sihfu210.pdfpdf_icon

IRFR210

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface Mount (IRFR210, SiHFR210)Qg (Max.) (nC) 8.2 Straight Lead (IRFU210, SiHFU210) Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Eas

Другие MOSFET... IRFR111 , IRFR120 , IRFR1205 , IRFR120A , IRFR120N , IRFR121 , IRFR130A , IRFR1N60A , IRFB4110 , IRFR210A , IRFR212 , IRFR214 , IRFR214A , IRFR220 , IRFR220A , IRFR222 , IRFR224 .

History: HY3610P | STB30NF20 | SDF920NE | RD01MUS1 | MN7R6-60PS | NP100N04MUH

 

 
Back to Top

 


 
.