ZVNL110GTA - описание и поиск аналогов

 

ZVNL110GTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZVNL110GTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для ZVNL110GTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVNL110GTA даташит

 ..1. Size:20K  diodes
 zvnl110gta zvnl110gtc.pdf pdf_icon

ZVNL110GTA

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE ZVNL110G LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES D * LOW RDS(ON) - 3 PARTMARKING DETAIL - ZVNL110 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 600 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation a

 6.1. Size:25K  diodes
 zvnl110g.pdf pdf_icon

ZVNL110GTA

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE ZVNL110G LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES D * LOW RDS(ON) - 3 PARTMARKING DETAIL - ZVNL110 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 600 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation a

 7.1. Size:20K  diodes
 zvnl110astoa zvnl110astob zvnl110astz.pdf pdf_icon

ZVNL110GTA

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL110A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=3 * Low threshold voltage D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 320 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate Source Voltage VGS 20 V Power Dissipati

 7.2. Size:27K  diodes
 zvnl110a.pdf pdf_icon

ZVNL110GTA

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL110A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=3 * Low threshold voltage D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 320 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate Source Voltage VGS 20 V Power Dissipati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZVN4525E6TA , ZVN4525E6TC , ZVN4525GTA , ZVN4525GTC , ZVN4525ZTA , ZVNL110ASTOA , ZVNL110ASTOB , ZVNL110ASTZ , 12N60 , ZVNL110GTC , ZVNL120ASTOA , ZVNL120ASTOB , ZVNL120ASTZ , ZVNL120C , ZVNL120GTA , ZVNL120GTC , ZVP0545ASTOA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.