ZVNL120C - описание и поиск аналогов

 

ZVNL120C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZVNL120C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для ZVNL120C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVNL120C даташит

 ..1. Size:26K  diodes
zvnl120c.pdfpdf_icon

ZVNL120C

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL120C MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I I TI T I D E-Line T V TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID 8 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I

 7.1. Size:52K  diodes
zvnl120g.pdfpdf_icon

ZVNL120C

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE ZVNL120G LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURES D * VDS - 200V * RDS(ON) - 10 S PARTMARKING DETAIL - ZVNL120 D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 200 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 320 mA Pulsed Drain Current IDM 2A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dis

 7.2. Size:41K  diodes
zvnl120astoa zvnl120astob zvnl120astz.pdfpdf_icon

ZVNL120C

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL120A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 200 Volt VDS VGS= 10V * RDS(on)=10 8V 6V * Low threshold 4V D APPLICATIONS G S * Telephone handsets E-Line TO92 Compatible 3V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 2V Drain-Source Voltage VDS 200 V 8 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 180 mA Pulsed Drain

 7.3. Size:40K  diodes
zvnl120gta zvnl120gtc.pdfpdf_icon

ZVNL120C

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE ZVNL120G LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURES D * VDS - 200V * RDS(ON) - 10 S PARTMARKING DETAIL - ZVNL120 D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 200 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 320 mA Pulsed Drain Current IDM 2A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dis

Другие MOSFET... ZVNL110ASTOA , ZVNL110ASTOB , ZVNL110ASTZ , ZVNL110GTA , ZVNL110GTC , ZVNL120ASTOA , ZVNL120ASTOB , ZVNL120ASTZ , IRF530 , ZVNL120GTA , ZVNL120GTC , ZVP0545ASTOA , ZVP0545ASTOB , ZVP0545ASTZ , ZVP0545GTA , ZVP0545GTC , ZVP1320FTA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.