IRFR224A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFR224A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO252
IRFR224A Datasheet (PDF)
irfr224a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.1 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) : 0.742 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteri
irfr224pbf irfu224pbf.pdf
PD- 95237AIRFR224PbFIRFU224PbF Lead-Free12/03/04Document Number: 91271 www.vishay.com1IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com2IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com3IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com4IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com5IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com6IRFR/U22
irfr224 irfu224 sihfr224 sihfu224.pdf
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 14 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qgs (nC) 2.7 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224) Available in Tape and Reel
irfr224pbf irfu224pbf sihfr224 sihfu224.pdf
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qg (Max.) (nC) 14 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224)Qgs (nC) 2.7Qgd (nC) 7.8 Available in Tape and Reel Configuration Single
irfr224.pdf
iscN-Channel MOSFET Transistor IRFR224FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 1.1 @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
Другие MOSFET... IRFR210A , IRFR212 , IRFR214 , IRFR214A , IRFR220 , IRFR220A , IRFR222 , IRFR224 , AON7408 , IRFR230A , IRFR310 , IRFR310A , IRFR320 , IRFR320A , IRFR3303 , IRFR3910 , IRFR410 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918