ZVP4525GTA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZVP4525GTA  📄📄 

Маркировка: ZVP4525G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.265 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.45 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3.78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZVP4525GTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVP4525GTA даташит

 ..1. Size:321K  diodes
 zvp4525gta zvp4525gtc.pdf pdf_icon

ZVP4525GTA

ZVP4525G 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14V; ID=-265mA DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a v

 6.1. Size:323K  diodes
 zvp4525g.pdf pdf_icon

ZVP4525GTA

ZVP4525G 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14V; ID=-265mA DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a v

 7.1. Size:137K  diodes
 zvp4525z.pdf pdf_icon

ZVP4525GTA

ZVP4525Z 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14 ; ID=-205mA DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced SOT89 secondary breakdown. Applications benefiting from this device inclu

 7.2. Size:409K  diodes
 zvp4525e6ta zvp4525e6tc.pdf pdf_icon

ZVP4525GTA

ZVP4525E6 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY ( DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high SOT23-6 impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and gener

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZVP4424ASTOA, ZVP4424ASTOB, ZVP4424ASTZ, ZVP4424GTA, ZVP4424GTC, ZVP4424ZTA, ZVP4525E6TA, ZVP4525E6TC, 60N06, ZVP4525GTC, ZVP4525ZTA, ZXM41N10FTA, ZXM41N10FTC, ZXM61N02FTA, ZXM61N02FTC, ZXM61N03FTA, ZXM61N03FTC