ZXM61P03FTC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXM61P03FTC
Маркировка: P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZXM61P03FTC
ZXM61P03FTC Datasheet (PDF)
zxm61p03ftc.pdf
ZXM61P03F30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.35 ; ID=-1.1ADESCRIPTIONThis new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.FEATURES Low on-resistanceSOT
zxm61p03fta.pdf
ZXM61P03F30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.35 ; ID=-1.1ADESCRIPTIONThis new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.FEATURES Low on-resistanceSOT
zxm61p03f.pdf
ZXM61P03F30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.35 ; ID=-1.1ADESCRIPTIONThis new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.FEATURES Low on-resistanceSOT
zxm61p03f.pdf
Product specificationZXM61P03F30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.35 ; ID=-1.1ADESCRIPTIONThis new generation of high density MOSFETs from TY utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.FEATURES Lo
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 2SJ273 | SDF40N50JAM
History: 2SJ273 | SDF40N50JAM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918