Справочник MOSFET. ZXMN2A01E6TA

 

ZXMN2A01E6TA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN2A01E6TA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6
 

 Аналог (замена) для ZXMN2A01E6TA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2A01E6TA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  zetex
 zxmn2a01e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.SOT23-6FEATURES Low on-resistance

 3.1. Size:198K  zetex
 zxmn2a01e6tc.pdf pdf_icon

ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.SOT23-6FEATURES Low on-resistance

 4.1. Size:199K  diodes
 zxmn2a01e6.pdf pdf_icon

ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.SOT23-6FEATURES Low on-resistance

 6.1. Size:217K  diodes
 zxmn2a01f.pdf pdf_icon

ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01F20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.2ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT23 Low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN10A11GTC , ZXMN10A11KTC , ZXMN10A25GTA , ZXMN10A25KTC , ZXMN10B08E6TA , ZXMN10B08E6TC , ZXMN15A27KTC , ZXMN20B28KTC , 4435 , ZXMN2A01E6TC , ZXMN2A01FTA , ZXMN2A01FTC , ZXMN2A02N8TA , ZXMN2A02X8TA , ZXMN2A02X8TC , ZXMN2A03E6TA , ZXMN2A03E6TC .

 

 
Back to Top

 


 
.