ZXMN2A01E6TA - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZXMN2A01E6TA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZXMN2A01E6TA
   Маркировка: 2A1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6

Аналог (замена) для ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA Datasheet (PDF)

..1. Size:198K zetex
zxmn2a01e6ta.pdf

ZXMN2A01E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.SOT23-6FEATURES Low on-resistance

3.1. Size:198K zetex
zxmn2a01e6tc.pdf

4.1. Size:199K diodes
zxmn2a01e6.pdf

6.1. Size:217K diodes
zxmn2a01f.pdf

ZXMN2A01F20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.2ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT23 Low on-resistance

6.2. Size:79K tysemi
zxmn2a01f.pdf

Product specificationZXMN2A01F20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.2ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from TY utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT23

6.3. Size:216K zetex
zxmn2a01fta.pdf