ZXMN2A01E6TC datasheet, аналоги, параметры транзистора

ZXMN2A01E6TC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2A01E6TC 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для ZXMN2A01E6TC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

ZXMN2A01E6TC даташит

..1. Size:198K zetex
zxmn2a01e6tc.pdf pdf_icon

ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SOT23-6 FEATURES Low on-resistance

3.1. Size:198K zetex
zxmn2a01e6ta.pdf pdf_icon