ZXMN2A01E6TC - аналоги и даташиты транзистора

 

ZXMN2A01E6TC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ZXMN2A01E6TC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6

 Аналог (замена) для ZXMN2A01E6TC

 

ZXMN2A01E6TC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  zetex
zxmn2a01e6tc.pdfpdf_icon

ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SOT23-6 FEATURES Low on-resistance

 3.1. Size:198K  zetex
zxmn2a01e6ta.pdfpdf_icon

ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SOT23-6 FEATURES Low on-resistance

 4.1. Size:199K  diodes
zxmn2a01e6.pdfpdf_icon

ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SOT23-6 FEATURES Low on-resistance

 6.1. Size:217K  diodes
zxmn2a01f.pdfpdf_icon

ZXMN2A01E6TC

Другие MOSFET... ZXMN10A11KTC , ZXMN10A25GTA , ZXMN10A25KTC , ZXMN10B08E6TA , ZXMN10B08E6TC , ZXMN15A27KTC , ZXMN20B28KTC , ZXMN2A01E6TA , IRF1010E , ZXMN2A01FTA , ZXMN2A01FTC , ZXMN2A02N8TA , ZXMN2A02X8TA , ZXMN2A02X8TC , ZXMN2A03E6TA , ZXMN2A03E6TC , ZXMN2A14FTA .

 

 
Back to Top

 


 
.