ZXMN2A03E6TA datasheet, аналоги, параметры транзистора

ZXMN2A03E6TA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2A03E6TA 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для ZXMN2A03E6TA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

ZXMN2A03E6TA даташит

..1. Size:196K zetex
zxmn2a03e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN2A03E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.055 ID = 4.6A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SOT23-6 FEATURES Low on-resistan

3.1. Size:196K zetex
zxmn2a03e6tc.pdf pdf_icon

4.1. Size:197K diodes
zxmn2a03e6.pdf pdf_icon

7.1. Size:179K diodes
zxmn2a04dn8.pdf pdf_icon

ZXMN2A04DN8 DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 20V; RDS(ON)= 0.025 ; ID= 7.7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SO8 Low on-resista