ZXMN2F30FHTA - аналоги и даташиты транзистора

 

ZXMN2F30FHTA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ZXMN2F30FHTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ZXMN2F30FHTA

 

ZXMN2F30FHTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  zetex
 zxmn2f30fhta.pdf pdf_icon

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.045 @ VGS= 4.5V 4.9 0.065 @ VGS= 2.5V 4.1 Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. Features D Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 package G Applications S Buck/Boost DC

 4.1. Size:414K  diodes
 zxmn2f30fh.pdf pdf_icon

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.045 @ VGS= 4.5V 4.9 0.065 @ VGS= 2.5V 4.1 Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. Features D Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 package G Applications S Buck/Boost DC

 4.2. Size:109K  tysemi
 zxmn2f30fh.pdf pdf_icon

ZXMN2F30FHTA

Product specification ZXMN2F30FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.045 @ VGS= 4.5V 4.9 0.065 @ VGS= 2.5V 4.1 Description This new generation Trench MOSFET from TY features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. Features D Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 package G Applications

 7.1. Size:407K  diodes
 zxmn2f34ma.pdf pdf_icon

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F34MA 20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322 Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.5 0.120 @ VGS= 2.5V Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devices Features D Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN2A02X8TA , ZXMN2A02X8TC , ZXMN2A03E6TA , ZXMN2A03E6TC , ZXMN2A14FTA , ZXMN2B01FTA , ZXMN2B03E6TA , ZXMN2B14FHTA , 4N60 , ZXMN2F34FHTA , ZXMN2F34MATA , ZXMN3A01E6TA , ZXMN3A01E6TC , ZXMN3A01FTA , ZXMN3A01FTC , ZXMN3A01Z , ZXMN3A02N8TA .

 

 
Back to Top

 


 
.