ZXMN2F30FHTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZXMN2F30FHTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZXMN2F30FHTA
ZXMN2F30FHTA Datasheet (PDF)
zxmn2f30fhta.pdf

ZXMN2F30FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.045 @ VGS= 4.5V 4.90.065 @ VGS= 2.5V 4.1DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS Buck/Boost DC
zxmn2f30fh.pdf

ZXMN2F30FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.045 @ VGS= 4.5V 4.90.065 @ VGS= 2.5V 4.1DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS Buck/Boost DC
zxmn2f30fh.pdf

Product specificationZXMN2F30FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.045 @ VGS= 4.5V 4.90.065 @ VGS= 2.5V 4.1DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplications
zxmn2f34ma.pdf

ZXMN2F34MA20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322SummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.50.120 @ VGS= 2.5VDescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devicesFeaturesD Low
Другие MOSFET... ZXMN2A02X8TA , ZXMN2A02X8TC , ZXMN2A03E6TA , ZXMN2A03E6TC , ZXMN2A14FTA , ZXMN2B01FTA , ZXMN2B03E6TA , ZXMN2B14FHTA , 10N65 , ZXMN2F34FHTA , ZXMN2F34MATA , ZXMN3A01E6TA , ZXMN3A01E6TC , ZXMN3A01FTA , ZXMN3A01FTC , ZXMN3A01Z , ZXMN3A02N8TA .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1566AKQ | JMSH1566AK | JMSH1566AG | JMSH1565AUS | JMSH1565APS | JMSH1565AKSQ | JMSH1565AKS | JMSH1565AGS | JMSH1552PU | JMSH1552PP | JMSH1552PK | JMSH1552PG | JMSH1552AU | JMSH1552AP | JMSH1552AK | JMSH1552AG
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay