ZXMN3A02N8TA - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZXMN3A02N8TA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZXMN3A02N8TA
   Маркировка: ZXMN3A02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 209 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA Datasheet (PDF)

..1. Size:179K zetex
zxmn3a02n8ta.pdf

ZXMN3A02N830V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.025 ID = 9.0ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SO8FEATURES Low on-resistance

4.1. Size:180K diodes
zxmn3a02n8.pdf

6.1. Size:454K diodes
zxmn3a02x8.pdf

ZXMN3A02X830V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=30V; RDS(ON)=0.025 ID=6.7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.FEATURES Low on-resistance Fast sw

6.2. Size:453K zetex
zxmn3a02x8ta.pdf