Справочник MOSFET. ZXMN3B14FTA

 

ZXMN3B14FTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN3B14FTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для ZXMN3B14FTA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN3B14FTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  zetex
 zxmn3b14fta.pdf pdf_icon

ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14F30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVESUMMARYV(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.08 ; ID=3.5ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESPACKAGE Low o

 5.1. Size:217K  diodes
 zxmn3b14f.pdf pdf_icon

ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14F30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVESUMMARYV(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.08 ; ID=3.5ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESPACKAGE Low o

 5.2. Size:79K  tysemi
 zxmn3b14f.pdf pdf_icon

ZXMN3B14FTA

Product specificationZXMN3B14F30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVESUMMARYV(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.08 ; ID=3.5ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Ty utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURES

 8.1. Size:469K  diodes
 zxmn3b01f.pdf pdf_icon

ZXMN3B14FTA

ZXMN3B01F30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVESUMMARYV(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.15 ; ID=2ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT23 Low on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN3A02X8TC , ZXMN3A03E6TA , ZXMN3A03E6TC , ZXMN3A04KTC , ZXMN3A14FTA , ZXMN3B01FTA , ZXMN3B04N8TA , ZXMN3B04N8TC , IRF520 , ZXMN3F30FHTA , ZXMN4A06GQ , ZXMN4A06GTA , ZXMN4A06KTC , ZXMN6A07FTA , ZXMN6A07FTC , ZXMN6A07ZTA , ZXMN6A08E6Q .

History: 2SK2905-01R | 2SK2930 | BUK7610-100B | PSMN3R3-40YS | AOT254L | MDF6N60BTH | PNMTOF600V4

 

 
Back to Top

 


 
.