Справочник MOSFET. ZXMN4A06GQ

 

ZXMN4A06GQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN4A06GQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для ZXMN4A06GQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN4A06GQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GQ

ZXMN4A06GQGreen40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

 5.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GQ

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 5.2. Size:167K  zetex
 zxmn4a06gta.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GQ

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 5.3. Size:946K  cn vbsemi
 zxmn4a06gt.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GQ

ZXMN4A06GTwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs600.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN3A03E6TC , ZXMN3A04KTC , ZXMN3A14FTA , ZXMN3B01FTA , ZXMN3B04N8TA , ZXMN3B04N8TC , ZXMN3B14FTA , ZXMN3F30FHTA , IRF730 , ZXMN4A06GTA , ZXMN4A06KTC , ZXMN6A07FTA , ZXMN6A07FTC , ZXMN6A07ZTA , ZXMN6A08E6Q , ZXMN6A08E6TA , ZXMN6A08E6TC .

 

 
Back to Top

 


 
.